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参数目录38419
> PHX8NQ11T,127 MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
型号:
PHX8NQ11T,127
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PHX8NQ11T,127 PDF
标准包装
50
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
110V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
7.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
14.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
360pF @ 25V
功率 - 最大
27.7W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 隔离片
供应商设备封装
TO-220-3
包装
管件
其它名称
934058496127
PHX8NQ11T
PHX8NQ11T-ND
查看PHX8NQ11T,127代理商
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